CAS Number:1303-11-3 基本信息 中文名:砷化铟 英文名:indium arsenide 别名:indiam arsenide; indium arsenide; indium monoarsenide 分子结构: 1 2 分子式:AsIn 分子量:189...
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锗的最外层电子排布图 |
锗的晶格结构和能带结构,间隙原子和空位成对出现
硅和锗的能带结构如图1所示。 通过理论计算和实验结果,硅和锗的价带顶位于k=0处,即布里渊区的中心。 当k=0时,E(k)的两个极大值重合,表明有两个不同的有效质量。 图中上能带曲线的d能带结构决定了材料的性质第一章半导体中的电子态1.1.1金刚石型结构和共价键现代电子学中重要的半导体材料:硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四种,它们结合形成晶体
分别为齿轮闪锌矿型和直接带隙型的晶格结构和能带结构。 它属于元素周期表中的VIB族。 该元素的名称来自希腊语,最初的意思是"颜色"。锗的晶体结构是面心立方晶系,其中每个原子都与其周围的四个原子相连。 在锗的晶体结构中,每个原子都有四个价电子,这些价电子可以形成共价键,形成晶体结构。 在锗的晶体结构中,
石墨烯的晶格结构非常稳定,电子在轨道上运动的干扰很小,并且具有优异的导电性。 这种结构导致了石墨烯独特的电子能带结构。第一个布里渊区的六个顶点是费米点(也称为狄拉克点或K点),半导体硅锗的晶体结构.ppt,1.10宽带隙半导体材料Eg≥2.3eV宽带隙半导体材料常见宽带隙半导体材料:SiC、AlN、GaN、金刚石、等性能:带隙、高导热、恒定介电常数
>0< 4.电阻率极高的物体3.半导体:导电性介于导体和绝缘体之间4.晶体的能带结构1947年12月,美国贝尔实验室的Bardeen、Bratton和Shockley这些半导体材料锗被用来制造第一个晶体管,而锗的晶格结构和能带结构分别为锌共混型和间接带型分别aptype。 查看答案
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