直接带隙的解释,什么是带隙

带隙结构 2023-08-14 15:43 376 墨鱼

带隙结构

直接带隙的解释,什么是带隙

直接带隙的解释,什么是带隙

32.从能带的角度来看，锗和硅属于间接带隙半导体，而砷化镓属于直接带隙半导体，有利于光子的吸收和发射。 33.由于半导体硅导带底部附近的等能表面是旋转椭圆体，因此直接带隙是价带顶部和导带底部处于同一位置墨水空间的带隙。真实物体对应于直接带隙半导体。

术语解释（半导体物理）。直接带隙半导体：二次带隙和价带边缘位于同一点墨空间的半导体通常称为直接带隙半导体。 33.直接带隙半导体中的直接带隙：如果导带极值和价带极值在K空间中位于同一位置，则称为间接带隙半导体。 34.镜像力和隧道效应：当金属和半导体接触时，

直接带隙是指半导体导带最小值和价带最大值对应的k空间中的同一位置。价带电子向导带的跃迁不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料的导带最小值（conductionbandbottom）和直接带隙中的全带最大值（英文：Directbandgaps）是指半导体材料的导带底部最小值和价带顶部最大值在k空间中对应相同k值的能带结构，具有这种结构的半导体称为直接过渡半导体

术语解释（半导体物理）直接带隙半导体：二次带边和价带边在同一点墨空间的半导体通常称为直接带隙半导体。在电子想要跃迁的导带上产生导电电子和空穴（形成半满能带）。只有没有能级的空白区域（即禁区）只需要吸收能量，才是先前驻波的自然解。

1.直接带隙半导体材料是导带最小值（导带底部）和全带最大值位于墨水空间的同一位置。 1.6直接带隙材料如果晶体材料的导带底部和价带顶部处于同一墨空间位置，则本征跃迁就是直接跃迁，这样的材料就是所谓的直接带隙材料。 1.6间接带隙材料如果半导体的导带底部和价带顶部是

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