离子电子构型对晶格能的影响,价电子构型书写规则

离子电子构型对晶格能的影响,价电子构型书写规则

2、影响晶格能量大小的因素：1）阴离子和阳离子所带电荷越多，晶格能量越大。 2）阴离子和阳离子的半径越小，晶格能量越大。 晶格能仔细阅读表3-8，分析离子晶体晶格能的大小及影响因素：适用范围：典型离子晶体一些离子晶格能：晶格能较大的离子晶体硬度较大，熔点较高。 由上可知：晶格能量：NaF>NaCl>NaBr>NaI，离子半径越小，晶格能量越大

阴离子的电荷影响离子键的强度。 离子的电荷越高，正负离子之间的吸引力越大，离子键越强。 例如，熔点：NaCl为801℃，MgO为2825℃；晶格能：NaCl为787kJmol-1，MgO为3916kJm。电子构型相同的离子，阴离子一般比阳离子更容易变形；当离子电荷相同、离子半径相似时，离子的电子构型对离子的变形能力有决定性影响；非离子的离子再气配置（即外层有

（°ο°） 金属离子的电离能和非金属离子的电子亲和力都会影响晶格能。 屏蔽效应越大，有效核电荷数越小，电离能越低，晶格能越小。 添加电子后，电子亲和力可以与电子配对（或相互排斥）相比较。从最简单的分析来看，理论上离子的电子构型对离子键强度没有影响。离子键强度（晶格能）主要与离子电荷和

1.离子极化引起离子晶格空间构型的转变。离子之间的相互极化导致阳离子部分地渗入阴离子的电子云中，然后阴离子的半径沿键轴方向增大，而阳离子的半径减小。 因此，阳离子与阴离子的半径比减小。据此，可以推断出阳离子的极化能力为：①半径相近、电荷数或氧化数较高的阳离子，极化能力较强；②电荷数相同，外电子力构型相似的阳离子，半径越小，极化能力越强；

根据该公式可以得出影响晶体晶格能的因素包括：离子电荷、离子半径和晶体本身的结构。 晶格能量大的晶体具有高熔点和高硬度。 3.3.离子极化极化率(α)&极化力(f)α描述了离子本身变形的物理量。 f描述了影响晶格能量大小的因素，包括离子半径、离子电荷和离子电子壳构型。 电荷高、半径小的离子具有大的晶格能量。 1.小半径正离子和小半径负离子的结合更稳定；2.带高电荷的正离子和高电荷