半导体中能带是怎么形成的,半导体能带结构特点

金属半导体能带图 2023-08-14 11:36 102 墨鱼

金属半导体能带图

半导体中能带是怎么形成的,半导体能带结构特点

半导体能带结构的形成是由于晶体中原子能级的结合和分裂。半导体的导电性能主要由能带结构决定，包括价带、导带和能隙。通过掺杂，可以显着改变半导体的导电性能。半导体材料中还存在受激吸收、受激发射和自发发射过程。在电流或光的激励下，半导体价带中的电子可以获得能量，跃迁到导带，并在价带中形成空穴，这相当于受激吸收的过程。此外，价带

晶体中原子能级的简并形成能带。由于晶面布拉格定律，能带在布里渊区（Brillouinzone）的边界处分离，形成价带和导带（conductionb）。原因光电A组成员：李志文，座位号499L0075（收集资料、整理报告）阮建伟，座位号499L0002（收集资料）

≥０≤ 主要介绍半导体的几种常见晶体结构、半导体中能带的形成、半导体中电子的状态和能带特性，并在解释半导体中电子运动时引入有效质量的概念。解释了本征半导体的传导机制，引入了空穴散射的概念。半导体能带形成的原因

∩▂∩ 3、晶体中电子的共同运动导致离散能级的分裂，这是半导体能带形成的原因。半导体能带的特点：①存在山梨杂化，能级与能带之间失去了对应关系。杂化后，能带重新构造。1.半导体的能带结构根据量子力学理论，由于材料中的原子彼此非常接近，彼此的能级会互相影响，原子能级会被展宽为能带。由于电子引用，它遵循泡利不相容性

∪＾∪ 1.半导体晶体结构和半导体的键合特性；2.半导体中的电子态：半导体能带的形成，Ge、Si、GaAs能带结构、有效质量、空穴、杂质和缺陷能级；3.热平衡半导体中的这些各种缺陷在半导体中形成陷阱。这些陷阱一般是一些带电的正离子和负离子捕获中心，辐射可以与它们相互作用从而改变半导体的性质。它们对半导体材料的电荷载体没有贡献，但

后台-插件-广告管理-内容页尾部广告（手机）

标签：半导体能带结构特点