杂质能级,缺陷能级的基本概念

施主杂质能级靠近 2023-08-11 10:54 676 墨鱼

施主杂质能级靠近

杂质能级,缺陷能级的基本概念

杂质能级,缺陷能级的基本概念

为什么要研究杂质和缺陷水平？第一是因为这个问题是客观存在的：因为现实中存在一些偏离理想的复杂情况，第一，原子本身不是静止的，不在严格周期晶格的晶格位置。1.半导体中杂质和缺陷的能量第一层次介绍理想半导体：1.原子严格周期排列，晶体具有完整的晶格结构。。 2、晶体无杂质、缺陷。 3.电子在周期场中共同运动，形成允许带和禁带。

杂质能级杂质能级半导体材料中的杂质破坏了严格周期势场，从而有可能在带隙内产生能量的局域电子态，称为杂质能级。对于杂质和主晶格原子价电差的应用(杂质半导体主要内容§2-1元素半导体中的杂质能级1.浅能级杂质能级和杂质电离；2.浅能级杂质电离能的计算；3.杂质补偿效果4.深能级杂质的特性和功能§2-2化合物

半导体中的杂质能级和缺陷能级会导致浅能级杂质的谷轨道分裂，但对于深能级杂质，它不能再被视为扰动项。我们讨论这部分短程电势对杂质结合水平的影响。只有当等效势阱很深时才可以单独引起电子的共振散射或

星期二，五号和六号星期二2）受主能级）受主能级是由于受主杂质的掺杂而在半导体带隙中新引入的。所介绍的电子能级，不被电子占据，是空的，容易从216个深层杂质中得到。PPT，半导体物理半导体物理毛惠兵信息科学与技术学院第二章半导体中的杂质和缺陷能级理想半导体：1、原子严格周期性排列，晶体具有完整晶格结构。 2

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