在杂质半导体中少子的数量取决于,杂质半导体的形成

在杂质半导体中少子的数量取决于,杂质半导体的形成

多子肾的数量主要是由半导体本身的特性决定的，即主要是由掺杂浓度决定的。虽然温度的上升会导致多子肾挣脱原子的束缚，但多子肾的数量已经很大了，这种分离对多子数量影响不大。 ，一半在N型半导体中：N型半导体中大多数载流子自由电子带负电少数载流子：少数载流子空穴带正电1.2.2、P型半导体（空穴半导体）在P型半导体中，空穴是多数载流子，主要由杂质原子提供：

不包含任何杂质C.不包含任何缺陷D.不包含施主11.Si中掺杂金的过程主要用于制造(B)器件。 A.高可靠性B.高频C.高功率D.高电压12.半导体的载流子扩散系数由它决定（D百度测试题杂质半导体中少数载流子的数量与（）有关。A.掺杂杂质浓度B.温度C.环境D.其他因素相关知识点：测试题来源：分析B反馈采集

∩ω∩ 1.杂质半导体中少数载流子的数量主要取决于(A)。 A.温度B.掺杂浓度C.掺杂过程D.晶体缺陷2.在放大电路中，若测得某个晶体管的三极电位分别为9V、2.5V、3.2V，则9V的百度测试题纯度半导体中的少数载流子浓度主要取决于()。 A.掺杂杂质数量B.环境温度C.掺杂工艺D.晶体结构相关知识点：测试问题来源：分析B反馈收集

结论：在杂质半导体中，许多载流子的浓度远大于本征半导体，而少数载流子的浓度远小于本征半导体，但两者的乘积没有变化。 PN结的形成及其单向电导扩散运动：由于浓度差，物质在杂质半导体中进行输运，多数载流子的浓度主要取决于掺杂的杂质的浓度，而少数载流子的浓度取决于温度。 温度决定了半导体本征载流子浓度n，而多载流子浓度则由掺杂决定。 除以多数载流子浓度的平方就是少数载流子浓度

＋０＋ 载流子的数量可以用费米-狄拉克函数来描述。从这个函数可以看出，载流子的数量取决于费米能级的位置（可以掺杂在掺杂的半导体中，少数载流子的浓度受数量和温度的影响很大。半导体的掺杂是为了改善半导体器件的电性能，而半导体的许多电性能