GaAs的ni是多少

半导体中ni为多少 2023-08-14 15:51 385 墨鱼

半导体中ni为多少

GaAs的ni是多少

GaAs的ni是多少

∪０∪ GaAsSi无掺杂N>5×1017<5×105VGFVBDia2″×0.35mmDia3″x0.35mmDia100×0.65mm取向(100)0°±0.5°,<111>(100)2°±0.5°偏向<111>A(100)15° ±0.5°offtGaAs4是Ga8As角在1/4的体对角线上，6As面中心=4As原子每单位细胞摩尔碳，质量12，并且碳12的原子量为12。如何求质量密度？1．首先找到立方厘米

GaAsni＝1.8*10∧6㎝-3Geni＝2.4*10∧13㎝-3本征载流子浓度ni与温度T和带隙Egis的关系(与杂质无关)ni=(NcNv)^(1/2)exp[－Eg/(2kT)]室温下，Si'sni=1

GaAsni=1.8*106cm-3Geni=2.4*1013cm-3因此，锗的本征载流子浓度最大，硅次之，砷化镓最小。但对于这些半导体材料，随着温度范围内温度的变化，nic的值很容易变为ni=4.821015mdnmdpm023/4T3/2exp-Eg2kT本征载流子浓度ni和禁带宽度EgT=300KGe:Eg=0.67eV，ni=2.4×1013cm-3Si:Eg=1.12eV，ni=1.5×1010cm-3GaAs:Eg=1.43eV,ni= 1.1×107cm-3测量值()n

12Kni本征半导体的电导率无法控制。当温度足够高，本征激励占主导地位时，器件无法工作。Si约为520k，锗为370k，GaAs720有意掺杂的半导体是材料的主体。3.4杂质半导体的载体，为您提供参考答案理论：Ni-0.246VCo:0.277V实际情况应该低于.仅供参考

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