13003F参数,d13003三级管原理

13003F参数,d13003三级管原理

13003产品特点：芯片面积：1.63×1.63（专用芯片）额定电流：1.5A（加大电流品种）降低饱和电压，散热性能好，反向击穿电压高，漏电流小N型硅单晶三极扩散平面工艺制作<<温馨提示：13003NPN硅晶体管和功率开关晶体管主要应用于：日光灯、电子镇流器、充电器和其他高压功率开关电路。 13003产品特点：芯片面积：1.63×1.63（专用芯片）额定电流

13003F参数

13003f晶体管芯片尺寸为1.18*1.18。 每包数量为1000件。 该三极管开关速度快、安全工作区大、耐压高，主要应用于节能灯、镇流器、开关电源、LED驱动器、手机充电器等产品。 该型号耐压为410V，大于480V。LED驱动器和13003为三极管型号，完整型号为MJE13003，NPN三极管。多用于日光灯电子整流器，也常用于充电器。 有多种13003

13003 参数

(^人^) 两管子参数相同，400V，1.8A，50W。差别应该是放大系数，分为五种：13003A、13003B、13003C、13003E、13003F。放大系数范围：11-16、15-19、18-22、21-25、213003三极管参数中文材质：MJE13003三极管是高背压大功率开关三极管主要应用于节能灯和荧光灯电子镇流器 .采用硅NPN型，采用TO-126封装。MJE13003三极管外观及引脚排列如下：MJE13

13003h参数

?▽? BT13003DisanNPN型晶体管，参数如下：额定功率：20W；额定电流：1.25A；集电极-基极耐压：600V；集电极-发射极耐压：400/800V；发射极-基极最大耐压：9V；电流放大器13001三极管参数如下：Vcbo=500V；Vceo=400V;Vebo=9V;Icm=1.5A ; 13001晶体管引脚图如下

13003b参数

ˋ﹏ˊ 13003FTO-126LM/13003F/XMKB1.1820-252.0-2.5》465104000BCE4158DTO-126LM/4158DJJOD1.6320-252.5-3.0》45039956863DTO-126LM/6863DJMRD1.8420-252.0-213003产品特点：芯片面积：1.63×1.63（专用芯片）额定电流：1.5A （增加电流品种）饱和电压降低，散热性能好，反向击穿电压高，漏电流小N型硅单晶三倍膨胀散面工艺