间接带隙 发光峰,间接带隙半导体发光过程

间接带隙 发光峰,间接带隙半导体发光过程

1.多层二硫化钼薄膜表面铂纳米颗粒的物理气相沉积。 二硫化钼薄膜的间接带隙发光不同于单层，天然或人工堆叠的双层薄膜是直接带隙材料，其最低能量的光跃迁取决于层的堆叠。 两层的能带面积是单层本征态的叠加，但这种简并性可以通过在两层之间施加电压差来增加。 取决于

晶体硅电池作为第一代太阳能电池，技术发展相对成熟，随着光电转换效率接近极限，提高电池效率的边际成本逐渐变高。 作为第二代太阳能电池，薄膜电池通过光致发光峰移，可以有效地将厘米级堆叠多层MoS2同质结的间接带隙缩小到与高纯单晶硅相比，从而确认旋转角度可以连续改变。 这项工作通过结合二维材料的外延和转移技术，提供了一种经济有效且可扩展的加工技术，以实现

在硅和锗等间接带隙材料中，这是一个非常缓慢且低效的过程。 当结反向偏置直至击穿时，由于大电场激发的高能（热）载流子之间的几种类型的相互作用，会出现热载流子带间直接复合发光峰，也称为带边缘的发光峰。 对于带隙类型为间接的半导体的带间复合，导带极值和价带极值不处于同一波矢k值，并且波矢k在过渡过程中发生变化

因此，间接带隙半导体中的电子不仅吸收光子，而且还与晶格交换能量，从而导致间接跃迁。 随着适当声子的发射或吸收，电子的波矢K可以改变。 GaPi是一种间接带隙半导体，其发光也是由间接跃迁产生的。 然而，由于SiC是直接带隙半导体，其发光需要额外的声子才能满足动量守恒定律，因此SiC的发光效率较低。上述缺点限制了SiC在光学领域的应用。 研究发现多孔结构可以有效提高

激子复合是原子从中性激发态向基态的跃迁，而自由激子是指在晶体中可以自由移动的激子，而这种运动显然不传输电荷；（3）束缚激子复合——指施主、受主、或其他俘获中心（带隙发光）第一组：王雷王建军在带隙固体中固体中绝缘体和半导体的电子能带结构如下图所示：其中价带相当于阴离子，价电子层完全充满电子，价带和导带之间存在一定宽度的能隙。