浅施主杂质能级距导带底较,深能级和浅能级的区别

施主杂质电离能 2023-08-14 16:38 144 墨鱼

施主杂质电离能

浅施主杂质能级距导带底较,深能级和浅能级的区别

⊙▂⊙ 如果用ED和E分别表示施主能级和导带底部的能量值，则有：这里称为施主电离能。一般较小。对于普通硅、锗半导体材料的浅施主杂质，施主电离能一般在0.05eV以下。9、本征半导体的电阻率随温度的升高单调降低，杂质半导体的电阻率随温度升高，先降低后升高到最高点，然后单调递减引起。 10.n型半导体的费米能级在极低温度（0K）下位于导带底部和施主能级之间。

(3)施主能级：受施主杂质束缚的电子的能态称为施主能级9。功函数：功函数是指真空电子能级E0与半导体费米能级EF之差。 10.电子亲和势：真空自由电子能级与导带底能级之间的能量差，即1.定义：非常接近价带顶部的受主能级和非常接近导带底部的能级，施主能级称为浅能级。产生浅能级的杂质称为浅能级杂质，其特征为EDEg；EAEg。 2.浅层杂质电离能的简单估计

≥▽≤ 深能级杂质是指杂质的能级位于禁带中心附近，其能级距离导带和价带底部较远。这个能级称为深能级，其电离能较大，在室温下不会完全电离。半导体中的深层能级包含半导体给体能级杂质能级空穴价电子半导体物理基础（1学时）基础半导体物理教学目标：掌握金刚石的基本结构，理解晶体结构晶面和晶体取向的定义，熟悉缺陷

2.III族杂质的电离能和V族元素的电离能很小，只有电子福特的十分之几，即对于给体，给体杂质的给体能级非常接近导带底部，对于受主杂质的受主能级，距价带顶部的距离有特征：对于浅能级杂质，给体受体能级为非常接近导带底部或价带顶部，电离能很小。在室温下，杂质基本全部电离，从而使导带或价带增加选择子或空穴。其重要作用是改变半导体的导电类型并调节

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标签：深能级和浅能级的区别