Ti原子外层电子排布式为:3d24s2,Ti原子形成Ti3+时失去三个电子,价层电子层排布式为:3d1,故答案为:1;3d1;(2)TiO2的熔点为1800℃,其熔点很高;TiCl4的熔点为-25℃,其熔点较低,则...
08-14 400
载流子浓度与什么有关 |
少数载流子浓度取决于,杂质半导体多数载流子取决于
少数载流子的浓度主要取决于半导体。 半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。 集成电路和消费电子产品中杂质半导体中的少数载流子浓度主要取决于().A.杂质浓度B.掺杂工艺C.温度D.晶体缺陷查看答案
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂杂质的浓度,而少数载流子的浓度则取决于温度。 温度决定了半导体本征载流子浓度n,而多载流子浓度则由掺杂决定。 除以多数载流子浓度就是少数载流子浓度【要点透析】在杂质半导体中,少数载流子完全是由本征激发产生的,其浓度取决于半导体中本征激发的强度,因为温度是影响本征激发强度的主要因素,所以少数载流子在杂质半导体中
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂杂质的浓度,而少数载流子的浓度主要取决于温度。 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___,而少数载流子的浓度则与___有很大关系。 请帮忙给出正确的答案和分析,谢谢!
ゃōゃ 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___,而少数载流子的浓度则与___有很大关系。 请帮忙给出正确的答案和分析,谢谢! 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___,而少数载流子的浓度则与___有很大关系。 请帮忙给出正确的答案和分析,谢谢!
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质的浓度,而少数载流子的浓度与()有很大关系。 查看测试题答案掺杂半导体中的多数载流子浓度主要取决于(),它百度测试题在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于()A.掺杂工艺;B.杂质浓度; C.温度;D.晶体缺陷。 相关知识点:测试题来源:分析C.温度;反馈采集
后台-插件-广告管理-内容页尾部广告(手机) |
标签: 杂质半导体多数载流子取决于
相关文章
Ti原子外层电子排布式为:3d24s2,Ti原子形成Ti3+时失去三个电子,价层电子层排布式为:3d1,故答案为:1;3d1;(2)TiO2的熔点为1800℃,其熔点很高;TiCl4的熔点为-25℃,其熔点较低,则...
08-14 400
钛(Ti)的基态原子外围电子排布式为3d(2)4s(2)。钛(Ti)是第4周期第ⅣB族22号元素,原子核内有22个质子,核外有四个电子层,基态原子核外电子排布式全写为1s(2)2s(2)2p(6)3s(2)3p(6)3d(...
08-14 400
F是物理学中的符号,表示力。它是一个力学量,化学量和物理量的量,用来表示一个物体受到不同力的作用。F是力的单位,它是牛顿(N)或帕斯卡(Pa)的简写。F是力学量中最基本也是最重要的一...
08-14 400
发表评论
评论列表