杂质能级跃迁发光,禁带中引入杂质能级的原因

吸收光子能级跃迁 2023-08-12 22:04 591 墨鱼

吸收光子能级跃迁

杂质能级跃迁发光,禁带中引入杂质能级的原因

光致发光光谱的基本原理1系统的能级如图5-1所示。 E0：基态能量，E1至E6：激发态。兴奋后，如果系统从能级E0过渡到E5。从E2到E5的能级非常接近，声子可以通过非辐射级联过程发射。能量分子从E2到E1或E0在一定的能量辐射下也会从低能级跃迁到高能级。当激发态分子以辐射跃迁的形式释放能量，然后返回到较低能级或基态时，就会产生分子发光，根据激发方式的不同，分子发光包括光致发光（荧光）

一、杂质能级位置

外本征跃迁是指电子从导带跃迁到杂质能级、或从杂质能级跃迁到价带、或杂质能级之间跃迁并发射光子的现象。在间接带隙半导体中，外在跃迁起着重要作用。其中，给体和受体（1）分子荧光在S1或T1态下伴随着发光现象返回到S0态的过程称为辐射去激发，分子从最低振动能级的S1态跃迁到S0态。载物台产生的辐射光称为荧光，这是允许的

二、杂质能级的物理意义

⊙▂⊙ 在重原子中，能级之间的交叉现象更为严重，因此很容易发生自旋轨道相互作用，从而增加了从单重态到三重态的跃迁速率。取代基的立体性也对荧光有影响。立体异构对荧光强度有影响。等电子杂质。空穴。理想半导体（理想与非理想之间的差异）。杂质补偿深能级杂质。浅能级杂质。空穴迁移率。特征载荷

三、杂质能级的能带图

当温度升高到一定水平时，所有的施主或受主杂质都被电离。以N型半导体为例，导带中的载流子基本上都是由电子化提供的，从施主能级到导带。本征激发电子的浓度可以忽略不计。2.外本征半导体的光吸收半导体中掺杂的杂质有以下三类：施主杂质结构、受体杂质和异电子杂质。这些杂质的能级位于能隙中，构成了图5.3所示的各种成分。

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