本征能级,表面能级

本征能级,表面能级

第三章平衡半导体的物理基础§3.1本征半导体和本征费米能级本节将从统计物理定律入手，研究平衡半导体中载流子的分布。半导体中的载流子（电子和空穴）分别表征本征半导体的导带：具有晶体结构的纯半导体。 本征半导体有两个重要参数：本征载流子浓度和本征费米能级。 1)本征载流子浓度是本征半导体中的载流子浓度。 由于此

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0K时本征费米能级位于禁带中心，温度升高后将接近导带底部。 空穴的有效质量差异并不是特别大，即绝对为零时，本征半导体的费米能级位于禁带的中间。 在任何温度下，位于禁带中间的能级称为本征能级。 当绝对值为零时，扇形半导体的费米能级位于导带底部和施主能级之间。

本征费米能级是在没有施加电场或磁场的情况下费米能级的位置。 在这种情况下，费米能级的位置仅取决于材料的性质，而不受外部因素的影响。 固有费米能级是一个非常重要的概念。因此，为了研究半导体中杂质的电离，还需要使用分布函数存储来表示电子和空穴占据这些能级的概率。 然而，禁带中的杂质能级不同于导带和价带中的本征能级。 书

半导体物理-热平衡态、态能密度、分布函数、载流子浓度、本征能级-课件AtomsolarFocus专栏/半导体物理-热平衡态、态能密度、分布函数、载流子浓度、本征能级-课件半导体物理费米能级:费米能级局域化在Si、Ge和GaAsa的温度和杂质浓度的函数-狄拉克积分中，能带隙和温度之间的关系，这