这个公式告诉我们,物体的动能与其质量和速度的平方成正比。例如,一个质量为1千克的物体以10米/秒的速度运动时,它的平动动能为500焦耳。 转动动能是指物体的围绕一个轴心旋转...
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施主受主定义 |
施主杂质和受主杂质的特点,间隙式杂质
施主杂质将磷掺杂到硅中,磷原子占据了硅原子的位置,从而形成了正电荷中心和多余的价电子。这种杂质,我们称之为施主杂质Or型杂质。受主杂质如硼掺杂到硅中,硼原子占据了硅原子的杂质半导体,施主杂质和受主杂质都存在于半导体中。电离中性状态,电离成阴离子化状态。 以施主杂质为例,当电子占据施主能级时,它们处于中性状态,电离后成为正中心。 因为费米分布函数中的一个能级可以容纳相反的自旋方向
有什么特点? (1)硅和锗形成晶体时,产生杂化,4价电子形成sp3杂化轨道。 2)Sp3杂化轨道能级平均分裂为上下两个能带,中间有禁带,两个能带分别含有与能级不一致的2个n态。实际晶体的特征:硅和锗杂质的能级1.取代杂质和间隙杂质2.施主杂质结构和施主能级3.受体杂质受体能级总结:实际晶体的特征:1.原子晶体不被禁止
ˇ﹏ˇ 所谓施主受主是指半导体内部杂质原子最外层电子的数量是否大于4或小于4。 因为原子核最外层的电子数量是最稳定的。 如果最外层电子数小于4,则容易被吸引(1)基本概念和能级计算:浅能级杂质是指价电子在半导体中弱束缚的杂质原子,往往能够提供载流子——电子或空穴的供体和受体;它们在半导体中
施主电离能施主电离能:△=△=对于导带底部附近的掺杂施主杂质,施主杂质的电离能较小,在室温下基本电离。 将价带和导带()掺杂到半导体中Ⅲ类取代杂质的能级中,得到电子并成为负离子,形成有子杂质:为了控制半导体的性能,可以对某些化学元素进行人工掺杂,掺杂杂质元素与半导体材料价电子的区别
 ̄□ ̄|| 它是相对于硅、锗等四价(四价电子)元素而言的。例如,如果将磷等五价元素掺杂到纯硅晶体中,当磷原子取代硅原子时,就会有更多的价电子(相当于捐出一个电荷)。对于具有IV族元素的半导体,V族元素是杂质。 主要杂质:从价带中捕获选择电子并在价带中形成空穴的杂质称为受主
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标签: 间隙式杂质
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