掺杂半导体多数载流子的浓度取决于
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硅本征载流子浓度 |
少数载流子的浓度与什么有很大关系,载流子浓度和温度的关系
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于___,而少数载流子的浓度则与___有很大关系。 查看答案,轻松一下:免费趣味测试更多>测量你被别人看到的程度(1)载流子浓度之间存在反比关系:少数载流子浓度基本上由内部激发过程决定,但与多数载流子浓度(掺杂浓度)相关:掺杂浓度越高,少数载流子浓度越低;掺杂浓度越低,少数载流子浓度
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于(),而多数载流子的浓度与()有很大关系。 A.温度B.掺杂过程C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子点击查看杂质半导体,少数载流子的浓度与()类似。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷
●﹏● 可以认为其浓度与掺杂浓度基本相等,与温度关系不大。 当然,当温度太高,本征载流子浓度增加等于或大于多数载流子浓度时,就成为以本征载流子传导为主的半白度测试主题。在杂质半导体中,少数载流子的浓度与A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷相关知识要点:测试问题来源:分析A
当多数载流子浓度增加时,多数载流子与少数载流子复合的机会增加,从而会降低少数载流子的浓度;当温度升高时,少数载流子的浓度会呈指数增加,与多数载流子有关A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷相关知识点:测试题来源:分析A.温度在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂杂质的浓度,而少数载流子的浓度主要取自
3.掺杂浓度远大于本征半导体中的载流子浓度,因此空穴浓度远大于自由电子浓度。 空穴称为多数载流子(多载流子),自由电子称为少数载流子(少数载流子)。 N型半导体中有很多电子1.杂质半导体,多数载流子的浓度主要取决于少数载流子的浓度。A.杂质浓度;环境温度;B.环境温度;杂质浓度;C.杂质浓度;施加电场;D.杂质价态;
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