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施主能级的形成过程,为什么施主能级位于导带之下

Ed施主能级 2023-08-14 11:36 130 墨鱼
Ed施主能级

施主能级的形成过程,为什么施主能级位于导带之下

施主能级的形成过程,为什么施主能级位于导带之下

施主和受主:对于掺杂半导体来说,大部分电子和空穴是由杂质提供的。 能提供电子的杂质称为施主;能提供空穴的杂质称为受主。 施主能级在禁带内,靠近导带底部;受主能级接近当时型半导体,如上图所示,施主能级(也称杂质能级)在费米能级以上,更接近费米能级,因此价带内的电子更容易通过费米能级跃迁到杂质能级,从而产生导带中的电子,

施主杂质提供局域电子态,相应的能级称为施主能级。 施主杂质和施主能级(N型半导体)第III族元素(如B、Al、Ga、h)和第V族元素中存在的第IV族元素半导体(如锗和硅)在室温下,几乎所有的砷在施主能级上,电子都跳到导带并成为自由电子,留下不可移动的砷施主离子。 因此,N型半导体的自由电子由两部分组成,一部分是由本征激发产生的,另一部分是由施主杂质电离产生的,只要

+ω+ 施主能级(ED)和受主能级(EA)都是潜在能级。前者接近导带,后者接近价带。施主能级和受主能级都是潜在能级。 深能级(Et)的位置如图3.2热平衡态和非平衡态热平衡态:无外加电压,电施主能级:受施主杂质束缚的电子的能态称为施主能级。 价带:在半导体或绝缘体中,绝对为零的电子占据的最高能带称为价带。 导带:为电子部分占据的能带,在

答:受主是能在禁带内提供空能级的杂质,形成有效受主的条件以SrTiO3为例。如果要取代Sr2+(或Ti4+),1)掺杂半径与Sr2+(或Ti4+)相似; 2)掺杂离子的电价低于Sr2+(或T)。在室温下,砷施主能级上的电子几乎全部跃迁到导带并成为自由电子,留下不动的砷施主离子。因此,N个自由电子sina型半导体由两部分组成,一部分由内激激发产生,另一部分由

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