根据能带图判断直接带隙,简述能带的三种图示

根据能带图判断直接带隙,简述能带的三种图示

它大致可分为三部分：价带、禁带和导带（如图1所示）。导带和价带之间的间隙称为能隙，用Eg表示。 材料能带结构的计算，即色散曲线E(k)，可以使用MaterialsStudio或VASP软件进行。 下面介绍样品的直接带隙，通过轨道理论判断。 扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带中的电子跃迁到导带时，电子的波矢保持不变，并且在能带图上垂直跃迁，这意味着电子在

一、能带图怎么算带隙

l直接带隙半导体的一个重要性质：当价带跃迁到导带时，电子的波矢保持不变，在能带图上是垂直跃迁，这意味着跃迁过程中电子的动量能够保持，常数满足动量守恒定律。 反之，如果直接在书中录入导带电子的行踪，则价带顶/导带底（E-Ef）的横坐标（E-Ef）与能带的交点就是最小带隙

二、能带图怎么看带隙

≥﹏≤ 图2间接带隙、直接带隙能带图图3使用MatCloud+直接获取能带信息3.判断电子和空穴有效质量的方法：通过看某个能带的能量跨度来判断。 区别：窄窗口分布表示电子的局域分布。相反，较窄的能带表示该能带对应的本征态主要由局域于某个格点的原子轨道组成。 带上的电子局域性很强，有效质量也较大。 3）如果系统是掺杂外源半导体，请注意

三、能带带隙如何测量

∪△∪ 从能带图可以看出，电子的所需能量是不连续的，有允许带和禁止带。 根据允许带的填充状况，可以判断材料是导体、绝缘体还是半导体。 对于半导体来说，价带顶与导带墨空间底的位置关系可以决定带边和价带边在墨空间同一点的半导体通常称为直接带隙半导体。 电子只需要吸收能量就可以跳跃到导带，从而产生导电电子和空穴（形成半填充能带）。 直接带隙半导体示例：GaAs、I

四、判断直接带隙还是间接带隙

如果导带最低点的K值与价带最高点的K值相同，则为直接能隙，否则为间接能隙。 带宽。 能带(3)En(k)的宽度或三度一般称为能带结构(n为能带数)；(4)相邻两个能带En(k)和En+1(k)之间可以相连、重叠或分离。对于一维周期势场，它们是分离的，带隙称为禁带。 E(k)图和能带P167图4-5E