在IV族半导体材料硅或锗中掺入V族元素磷、砷或锑(称为施主掺杂或N型掺杂),这些掺入的杂质原子比原来的硅或锗原子多出一个价电子。如硅是IV族元素,每个硅原子360...
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施主原子和受主原子 |
施主缺陷,施主是什么意思
通过对ZnO:N薄膜进行适当的退火处理,可以使Zn从Zn-NO复合缺陷中分离出来,同时可以激活受体缺陷NO,最终使ZnO:N薄膜实现p型导电。 ZnO:N薄膜中高浓度C杂质的存在会降低薄膜的晶体质量,而抑制NO受主要缺陷的调控是影响半导体太阳能电池光电转换效率的关键因素。缺陷和掺杂直接决定半导体中载流子的类型、浓度、输运以及光生载流子的非辐射复合。实际半导体中存在缺陷的原因
氧化镓晶体氧空位和供体杂质系统标签:β-Ga2O3中的氧空位和供体杂质J.B.Varley,J.R.Weber,A.Janotti,andC.G.VandeWalleC
主要缺陷为受主缺陷V_(Zn)~-和施主缺陷V_P~0和Ge_(Zn)~+,对应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)~-)=Ec-(1。2)施主1.受主和施主的快速研究第二章晶体结构中的缺陷(讲座4)2.7半导体中的掺杂缺陷或晶体—电子缺陷(1)固体的能带结构根据能带理论,当原子 或者当离子紧密堆积形成晶体时,外层价电子被离域,并且所有价电子被整个晶格的原子共享
【摘要】利用低温霍尔、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪对高剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级进行了研究。 研究了这些深能级和浅能级的形成和退火行为。 发现由于小木虫这个学术科研互动社区,为中国的学术研究提供了自由的动力,请发送邮件至:litianying3@tal进行举报和删除非法帖子。
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