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砷化镓晶体 |
砷化镓是什么结构,砷化镓是半导体吗
砷化镓晶体的电子结构是镓和砷组成的共价结构,具有高导热率和低拉曼散射系数,使其具有低损耗。 砷化镓晶体具有良好的不对称特性,因此可以用作砷化镓单晶。 有效质量为0.068m0(m0为电子质量,见载流子),次低能谷位于<111>方向上的点,比最低能谷高约0.29eV。
砷化镓是III-V族化合物,其闪锌矿结构和直接带隙结构使其具有比硅和锗更好的性能。 砷化镓具有较高的电子迁移率和饱和迁移率,还具有独特的半绝缘特性。 另外对各类砷检测、砷化镓检测报告、销售、科研、质控、复检等检测资质合作出具CMA/CNAS报告抽样服务,提供全国范围内上门抽样检测标准国标、企业标准、国家非标、线标服务周期3-7
∪0∪ 砷化镓的晶体结构属于闪锌矿结构,属于立方晶系。 闪锌矿结构是典型的离子晶体结构,其中阳离子和阴离子紧密堆积,形成致密的晶体结构。 砷化镓,砷原子和镓原子是1:1砷化镓(galliumarsenide),化学式GaAs。 黑灰色固体,熔点1238°C。 可稳定存在于600°以下空气中,不被非氧化性酸腐蚀。 砷化镓是一种重要的半导体材料。 它属于III-V族化合物
首先,砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式为GaAs。 立方闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子组成的复合晶格,各形成面心立方晶格,其晶格常数为5.6419A。 常温砷化镓(GaAs)作为第二代半导体衬底材料的代表,是世界上应用和产量最广泛的化合物半导体材料,也是继硅(Si)材料之后最重要的微电子材料之一。 由于砷化镓的本征载流子浓度低,光学
砷化镓的异质结构由于GaAs和AlAs的晶格常数几乎相同,可以采用分子束外延(MBE)或金属有机气相外延(金属有机气相外延,MOVPE,也叫砷)。镓的晶体类型是什么?属于闪锌矿晶格结构,晶格常数为5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏特。砷化镓,化学式GaAs,黑灰色固体,熔点1238℃。 在600℃以下空气中能稳定存在。
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